一、战略意义：通富微电10亿重金落子深圳前海

2026年7月，通富微电（深圳）微电子有限公司正式注册设立，注册资本高达10亿元人民币，为通富微电全额出资的子公司。新公司的法定代表人由集团董事长兼总裁石磊亲自出任，足见其对该项目的高度重视。

通富微电此次在深圳设厂，是其全球战略布局中的重要一环。作为全球排名第四的OSAT（外包半导体产品封装和测试）企业，通富微电2025年营收达到279.21亿元人民币（同比增长16.92%），并长期作为AMD最大的封测供应商，承接其超80%的封测订单。

珠三角地区汇聚了国内高密度的系统整机厂商、终端品牌企业以及芯片设计公司，是国内半导体市场需求最旺盛、产业协同最密集的区域之一。全资子公司落地深圳，能够大幅压缩企业与华南客户的设计沟通、工程验证、生产响应的物理半径。

对粤港澳大湾区而言，通富微电的入驻具有更深远的战略意义。大湾区的封测产业走出了特有的"应用终端倒逼制造"发展逻辑，AI PC、智能穿戴、新能源汽车等海量终端应用需求直接带动先进封装技术的就近布局。通富微电具备全链条经营资质的深圳公司落地，成为大湾区半导体产业布局的重要新增节点，将进一步推动粤港澳大湾区打造中国集成电路产业"第三极"的历史进程。

二、产业共振：大湾区先进封装企业阵容再添猛将

大湾区封测产业已形成"深圳-东莞-珠海"三核驱动、佛山、广州两翼协同的空间格局。先进封装企业数量已超过18家，在建/扩建项目3个，总投资额超过40亿元人民币。通富微电的加入，无疑为这一生态注入了一剂强心针。

（一）深圳先进封装代表

（二）东莞·珠海·佛山·惠州先进封装代表

三、六大工艺：图解大湾区先进封装技术体系

先进封装已成为后摩尔时代芯片性能突破的核心战场。大湾区封测产业集群覆盖了当前最主流的六大先进封装技术路线，形成了从2.5D/3D TSV立体集成、FOPLP板级扇出、Chiplet多芯片合封、晶圆级封装（WLP）、玻璃基板（TGV），到存储先进封装（HBM/Bumping）的完整技术图谱。以下六张结构示意图系统呈现各技术的核心架构原理，并标注大湾区参与企业，以直观展示区域产业链的技术覆盖深度与广度。

大湾区核心先进封装技术总览

注：以上技术图谱数据来源于公开资料整理；

3.1 2.5D/3D TSV 硅通孔立体集成封装

TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术通过在硅片上垂直打孔并填充导电材料，实现芯片间的立体互连。2.5D封装采用硅中介层（Silicon Interposer）将多个Die并排放置并通过TSV与基板互连；3D封装则将芯片直接垂直堆叠，通过μBumps和TSV实现超短距离、超高带宽的Die-to-Die通信。该技术是HBM高带宽内存和AI加速器封装的核心路线，带宽可达1TB/s以上。

图1  2.5D/3D TSV 硅通孔立体集成封装结构示意图参与企业：天成先进（珠海高新区）、天芯互联（深圳龙岗）

3.2 FOPLP 板级扇出封装

FOPLP（Fan-Out Panel Level Package，板级扇出封装）将芯片嵌入大面积矩形面板中，通过RDL重布线层将I/O引脚扇出至芯片边界以外，实现更大间距的焊球阵列。相较于传统圆形晶圆级封装（FOWLP），FOPLP面板面积更大（通常510×515mm或600×600mm），面积利用率超过95%，单位成本显著降低。该技术尤其适合功率器件、汽车电子和消费电子的大批量低成本封装需求。

图2  FOPLP 板级扇出封装结构示意图参与企业：中科四合（深圳龙华）、天芯互联（深圳龙岗）、佛智芯（佛山）

3.3 FCBGA / MCM / Chiplet 多芯片封装

Chiplet（小芯片）架构将原本集成在单一Die上的功能模块拆分为多个独立的小芯片，通过先进封装技术重新集成在同一封装体内。FCBGA（Flip-Chip Ball Grid Array）是承载Chiplet的主要封装形式，采用倒装焊（Flip-Chip）工艺实现高密度C4 Bump互连。该技术允许不同功能模块采用最优制程节点（如CPU核心用3nm、I/O Die用6nm），大幅降低成本并提升良率。通富微电是AMD EPYC/Ryzen系列CPU和Radeon GPU的核心封测供应商，在FCBGA、MCM和Chiplet封装领域积累了深厚的量产经验。

图3  FCBGA / MCM / Chiplet 多芯片封装结构示意图参与企业：通富微电（深圳/苏州/槟城）— AMD CPU/GPU/EPYC封测核心供应商

3.4 WLP 晶圆级封装

WLP（Wafer Level Package，晶圆级封装）在晶圆切割前完成封装工艺，封装尺寸等于芯片尺寸，是目前最小型化的封装形式之一。其核心工艺包括中道（MEOL）的RDL重布线层制备和后道（BEOL）的焊球植球。天芯互联是广东省唯一贯通"中道+后道"完整封测链条的企业，具备从晶圆级RDL制备到最终封装测试的全流程能力，是大湾区WLP技术的标杆企业。

图4  WLP 晶圆级封装结构示意图（含中道/后道工艺流程）参与企业：天芯互联（深圳龙岗）、沛顿科技（深圳福田）

3.5 玻璃基板 TGV 封装

TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技术以玻璃作为封装基板材料，利用激光打孔或湿法蚀刻在玻璃中形成垂直通孔，再填充铜导体实现电气互连。相比硅中介层，玻璃基板具有天然绝缘性（无需额外绝缘层）、更低介电常数（4~6 vs 硅的11.7）、更低信号损耗（降低40%+）和更优异的翘曲控制等优势，是下一代AI芯片封装基板的重要技术方向。三叠纪（广东）是国内唯一同时具备晶圆级和板级TGV生产能力的企业，TGV 3.0技术已突破亚10μm玻璃通孔极限。

图5  玻璃基板 TGV 封装结构示意图（与硅中介层对比）参与企业：三叠纪（广东）（东莞松山湖）、佛智芯（佛山）

3.6 存储先进封装：HBM / Bumping / 存算合封

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）封装是当前AI训练和推理加速器的核心存储解决方案。其封装结构将多层DRAM Die通过TSV垂直堆叠，并与GPU/AI加速器Logic Die通过硅中介层实现超宽总线互连（1024bit）。Bumping工艺是HBM封装的关键前道工序，包括UBM沉积、光刻定义、电镀焊料和回流焊成球等步骤。RDL重布线层则实现了Die焊盘到更大间距焊球阵列的信号重新分布。佰维存储旗下的芯成汉奇项目（东莞松山湖，总投资30.9亿元）专注于Bumping、RDL及存算合封，掌握HBM核心封装技术，是大湾区存储先进封装的重量级投资项目。

图6  存储先进封装结构示意图（HBM / Bumping / 存算合封）参与企业：佰维存储·芯成汉奇（东莞松山湖）、沛顿科技（深圳福田）

四、结语：重塑中国半导体产业"第三极"

通富微电10亿注册资本的深圳子公司，不仅仅是一家新公司的诞生，更是中国半导体产业版图重构的一个缩影。它将通富微电的算力封测优势与大湾区的终端应用生态完美结合，不仅强化了通富微电在国内半导体产业格局中的区位优势与产业竞争力，更极大地推动了粤港澳大湾区打造中国集成电路产业"第三极"的历史进程。

在先进封装成为半导体产业链新"咽喉"的今天，深圳与通富微电的这场"双向奔赴"，必将激荡出更加耀眼的科技浪花。随着沛顿科技、天芯互联、记忆科技、中科四合、佰维存储、江波龙、德明利、亿封智芯、气派科技、芯成汉奇（佰维旗下）、三叠纪（广东）、东莞锐信、天成先进、佛智芯、惠州佰维存储科技等企业的持续发力，大湾区先进封装产业生态正在以前所未有的速度走向成熟与闭环。

参考文献

[1] 芯榜科技. 注册资本10亿！通富微电在深圳成立微电子公司！. 东方财富财富号, 2026-07-27.

[2] 通富微电. 2025年年度报告. 深圳证券交易所, 2026-04-17.

[3] 大湾区2026上半年封测产业竞争力分析. 半导体产业研究，2026.

[4] Yole Group. Advanced packaging market set to reach $79.4 billion by 2030. 2025.