人工智能和高性能计算（HPC）的爆炸性增长正在推动数据中心对高效电力输送网络（PDN）的需求。对于最终负载点（PoL）阶段，即GPU和AI加速器附近的核心电压从12V或6V降至~1V，极端电流（超过1kA）和多MHz开关频率对额定电压为15-40V的低压（LV）电源开关提出了严格要求。

6月25-27日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。深圳平湖实验室GaN首席科学家David ZHOU受邀将出席会议，并带来《Record-Low RON,SP and RON×QG in Regrowth-Free Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs on 200-mm GaN-on-Si Platform》的主题报告，分享最新研究成果。 

GaN HEMT为人工智能相关低压应用提供了优于Si的开关FOM（RON×QG），可实现>2 MHz的操作。然而，商用LV GaN HEMT仍然比最先进的Si器件具有更高的比导通电阻（RON，SP）。迄今为止，很少有LV p-GaN栅极HEMT实现了3米以下的RON、SPΩ·mm².一个关键的瓶颈是欧姆接触缩放：由于电流拥挤，减少接触长度（LC）会成倍地增加接触电阻（RC），而再生技术会增加复杂性和成本。 

报告将分享团队最新研究成果，其中研究提出了一种无再生的方法，实现了1.68 m的创纪录低RON、SPΩ·mm²，RON×QG为4.98 mΩ·nC在E型p-GaN栅极HEMT的~25V击穿电压下。报告还将分享基于200毫米硅基氮化镓平台的无再结晶低压增强型p型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管（HEMT）。该p型氮化镓栅极HEMT具备成熟的制造工艺能力，具有高均匀性正阈值电压（VTH）和栅极可靠性优势。器件栅极长度为350纳米，栅极-漏极间距为300纳米，在栅极电压（VGS）为5伏时实现1.2欧·毫米的低导通电阻（RON），击穿电压（BVDS）约25伏，且正向栅极击穿电压超过15伏。通过低温退火的凹陷欧姆接触，结合栅极与栅极-漏极尺寸缩减，对实现可与硅基器件相媲美的低RON和短沟道效应（SP）至关重要，为数据中心垂直电源网络中低压氮化镓器件的应用提供可行路径。研究成果详情，敬请关注！

最新议题公布！CSPSD2026氮化镓专题论坛邀您共探产业新机

嘉宾简介

David ZHOU，深圳平湖实验室（国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台）GaN首席科学家，国家海外高层次青年人才，香港科技大学博士，17年以上功率GaN技术开发及产业化经验，曾担任国内外GaN知名企业研发总监与副总，研发与量产多代功率GaN技术平台。获授权专利90余项，其中美国专利30余项，发表论文50余篇。

深圳平湖实验室介绍：

深圳平湖实验室是国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台、广东省半导体与集成电路(化合物功率半导体)中试平台，由深圳市科技创新局举办成立。围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域，开展核心技术攻关。

已建成功能完善的现代化园区，位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，拥有业界领先的宽禁带功率半导体研发和生产基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套，100级洁净间面积9500平米。

实验室汇集海内外行业顶尖的研发人才和资深工程师，打造面向全国的开放、公共、共享的科研中心、中试中心以及分析检测中心。致力于突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，打通第三代半导体产业链，并在下一代半导体产出世界级创新成果，培养世界级人才，与合作伙伴组成生态系统，共同构建可持续发展的未来。

四大技术平台

·8英寸SiC、GaN芯片 研发平台

·核心装备及零部件 和材料验证平台

·材料研究及器件测试与认证共享服务平台

·科技服务共享平台

五大应用方向

·新能源汽车与轨道交通电驱动

·新型电力系统

·新一代通信和数据中心的基础设施供电

·消费类电子和通用电源

·特种装备及其它

科研平台

·具备碳化硅、氮化镓研发试制能力，可实现设计、衬底外延、仿真设计、晶圆制造、封装测试、失效分析及可靠性的快速闭环

·具备超宽禁带半导体科研试制能力

·具备功率器件及其集成设计制造等研发试制能力

设计共性平台

·自主可控仿真设计共性平台, 协同仿真-设计-制造-封装-可靠性多维度联合

·支撑半导体的建模、提参、TCAD电路、PDK的建立、良率预测、可靠性分析

·打造第三代半导体工程服务平台，实现复杂的计算机仿真、验证的服务、培训、成果转化能力

自创办以来，CSPSD系列会议获得了国内功率半导体器件与集成电路领域顶尖科研院所、高等院校以及全产业链上下游企业的高度认可与深度参与，汇聚了行业科研、技术、产业、市场等多方核心资源，具备扎实的行业口碑与产业基础。其中，2024年、2025年会议已先后携手电子科技大学、南京邮电大学，在成都、南京圆满成功举办两届，有效搭建了产学研协同交流桥梁，助力区域半导体产业创新发展。

CSPSD2024-2025回顾

立足产业发展新形势与技术迭代新趋势，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)将落地上海，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、半导体产业网、第三代半导体产业共同主办，持续升级会议规格与行业影响力。会议聚焦产业前沿热点与核心技术痛点，重点围绕硅基半导体、宽禁带/超宽禁带半导体材料、功率器件与集成电路集成应用、先进封装与异构集成技术、EDA工具、AI算力芯片、功率集成交叉学科创新应用等关键领域展开深度研讨。

作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台，本次会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展示+参观考察+益企跑”等形式，目前嘉宾报告议题重磅揭晓，会议嘉宾阵容涵盖“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业领袖三大核心群体，报告议题更是覆盖从“基础研究 - 技术突破 - 产业应用 - 未来趋势” 的全方位交流体系，全力推动功率半导体与集成电路领域的技术革新、学术交流与产业协同发展，为我国半导体产业高质量创新升级赋能助力。

会议时间：2026年6月25-27日

会议地点：中国·上海·上海临港凯悦酒店

一、组织机构

指导单位：

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

主办单位：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

极智半导体产业网

第三代半导体产业

承办单位：

集成电路材料全国重点实验室

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

大会主席：狄增峰

联合主席：张波、吴伟东、程新红、郭宇锋、赵璐冰

程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、谢自力、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等

组织委员会：

主任：郑理

副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰

委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等

二、主题&征文方向

1.S1-硅基功率器件与集成技术

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；

2.S2-碳化硅功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

5.P1-模组封装与应用技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；

6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；

7.P3-功率器件交叉领域及EDA

基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。

三、日程总览

四、会议嘉宾（部分）

五、拟邀参会单位

中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等

六、优秀功率半导体产品征集

为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。→点击详情，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。

七、注册报名

1.注册及权益：注册费2800元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐）。

对公汇款：

账户名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

开户银行：中国银行北京科技会展中心支行

账 号：336 356 029 261

2.在线报名

·扫码注册

·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form

·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。

芯聚上海·共筑芯途：CSPSD2026滴水湖益企跑活动启动报名

九、联系咨询

1.论文投稿

投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。

·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：

CSPSD2026_摘要要求及模板.doc

CSPSD2026_POSTER制作要求.docx

CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf

2.投稿&报告咨询：

征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn

3.赞助、展示及商务合作

贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

张女士 13681329411，vivi@casmita.com 

4.报名咨询：

芦老师：13601372457，luli@casmita.com

十、协议酒店及周边交通

①酒店信息

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酒店经理协助确认预定

②会议酒店周边交通信息

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