当我们在谈论芯片时，我们在谈论什么？
7纳米、3纳米、2纳米——这些不断刷新的数字占据着科技头条；极紫外光刻机、蚀刻机、沉积设备——这些“大国重器”始终吸引着全球目光。但在每一片芯片诞生的背后，有一个沉默的伙伴，贯穿制造全流程，却极少被人提及。它跨越国界，存在于全球每一座晶圆厂的核心，是半导体制造的“第一环境”，是贯穿80%以上关键工序的隐形基石。它，就是真空技术。
你有没有想过这样一个问题：
为什么芯片必须在真空中制造？
让我们做一个思想实验。你站在一间普通的房间里，呼吸着再寻常不过的空气。但在物理学家眼中，这间屋子里弥漫着的，是一锅沸腾的“分子浓汤”——每立方厘米空气中，就有2.5×10¹⁹个气体分子，正以每秒数百米的速度疯狂撞击。
现在，请再想象一片晶圆。它的表面，正在生长着宽度仅几纳米的晶体管通道。那些疯狂运动的气体分子如果撞上来，会发生什么？答案很简单：一粒尘埃，足以毁掉一颗芯片；一个杂质分子，可能导致整片晶圆报废。
这个问题，不分国界——无论是台积电的Fab工厂、三星的生产线，还是英特尔、中芯国际的晶圆厂，都必须面对同样的物理法则。这就是为什么，全球半导体产业都必须走进真空，也正是真空技术，成为半导体制造的全球通用语言。
真空的价值，不在于“空”，而在于“净”。当真空度达到10⁻⁷帕斯卡时，气体分子的平均自由程从微米级扩展到公里级——这意味着，它们几乎不会再撞上任何东西。唯有在这样的环境里，人类才能实现对原子的精准操控，才能在纳米尺度上“雕刻”芯片、“搭建”器件。
让我们跟随一片晶圆，走一遍它的“真空之旅”——从多晶硅拉晶开始，它就被置入真空环境，此后的每一个关键环节，都离不开真空技术的支撑。
离子注入时，掺杂原子在真空中加速，以精准的能量轰入硅片，形成晶体管的源漏极。若真空度不够，离子束会被气体分子散射，注入剂量偏离，整批芯片的阈值电压都会漂移，直接影响芯片性能；
物理气相沉积（PVD）时，金属靶材被轰击，溅射出的原子在真空中直线飞行，沉积成均匀纯净的导电薄膜——真空环境，正是保证飞行“直线性”和“纯净性”的核心前提；
化学气相沉积（CVD）时，反应气体在低压真空环境下扩散更快、反应更均匀，得以生长出原子级平整的介质薄膜，为芯片的微型化奠定基础；
刻蚀（Etch）时，等离子体在真空中稳定放电，像一把精准的“刻刀”，在晶圆表面“雕刻”出纳米尺度的精细结构，真空的稳定性直接决定刻蚀的精度与均匀性；
最后，当它走进极紫外光刻机，必须进入10⁻⁹帕斯卡的极端真空——因为13.5纳米波长的极紫外光，几乎会被一切物质吸收，包括空气。
请记住这个数字：芯片制造全流程中，超过80%的关键工序在真空腔体内完成。无论你在东京、柏林、硅谷还是深圳，这个数字不会改变。真空技术，是全球半导体产业共同的基石，是连接世界芯片制造的隐形纽带。
当摩尔定律逼近物理极限，芯片制程向2纳米及以下持续突破，全球半导体产业正面临前所未有的真空技术挑战，而这些挑战，也成为全球业界共同的攻坚方向。
2纳米及以下，真空必须实现“原子级洁净”。在2纳米以下节点，原子层沉积（ALD）成为主流工艺，核心是让材料一层一层原子地精准生长。这意味着，真空腔体内任何残余的氧分子或水分子，都会打断沉积过程、影响器件性能。全球的工艺工程师们，都在为同一个问题绞尽脑汁：如何将真空环境从“分子级洁净”推进到“原子级洁净”。
极紫外光刻，真空必须达到“极端标准”。下一代High-NA EUV光刻机，由ASML引领，服务于全球顶尖晶圆厂，它要求更高的光源功率、更长的光路，10⁻⁹帕斯卡量级的极端真空成为必需。在这个真空度下，腔体内壁材料的放气率必须控制在极低水平，这对真空腔体的表面处理、材料选择、密封结构，都提出了全新的技术挑战——真空技术，正在定义全球光刻机的性能极限。
三代半导体，真空必须“抗腐蚀、耐高温”。碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体的制造工艺，往往涉及1000℃以上的高温和强腐蚀性气体。从欧洲的英飞凌、美国的Wolfspeed，到中国的三安光电、日本的罗姆半导体，全球三代半导体的领跑者，都在寻找能够耐受极端工艺环境的真空解决方案。
而深圳及粤港澳大湾区，正是中国三代半导体产业的重要集聚地——从衬底材料到器件设计，从制造到应用，一条完整的三代半导体产业链正在这里加速形成，也为真空技术的创新应用提供了广阔的实践场景。材料科学的进步，正倒逼全球真空技术实现协同创新，而深圳，正成为这场创新浪潮中的重要参与者、推动者。
2026第八届国际真空科技交流会议暨展览会——以真空为桥，链接全球半导体未来
面对全球共同的技术挑战，唯有携手合作、共享智慧，才能实现突破与共赢。2026第八届国际真空科技交流会议暨展览会，落地深圳这座象征着开放与创新的城市，以“真空技术赋能半导体与集成电路创新”为核心，搭建全球业界交流合作的桥梁，共探真空技术的创新方向，共话半导体产业的未来发展。
会议时间：2026年10月14日—16日（14日报到）
会议地点：中国·深圳维纳斯皇家酒店（国际会展中心店）
详细地址：中国深圳市宝安区沙井街道办沙井路118号
官方网站：www.ivtce.cn（中英双语，可查询会议详情）
联系邮箱：xhvacuum@163.com（咨询及报名相关事宜）
联系电话：+86-138 2374 8555
全球半导体制造、封装、设备企业
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国际真空设备、零部件、测量仪器
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全球高校、科研院所从事真空技术、
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关注全球供应链、跨境投资
的产业观察者和投资机构
希望拓展国际人脉、寻求合作机会的业界同仁
真空技术，是有“度”的——有温度，承载着全球业界的创新热忱；有精度，定义着芯片制造的极限边界；更有深度，支撑着全球半导体产业的发展骨架。它隐于幕后，不被大众看见，却决定着每一颗芯片的命运，连接着全球半导体产业的未来。
今天，当我们面对共同的技术挑战，当我们追求共同的创新突破，当我们相聚在深圳——这座开放包容、敢闯敢试的创新之城，真空技术，正在成为连接世界的桥梁。
2026第八届国际真空科技交流会议暨展览会，深圳，期待与您相见，共探真空技术的无限可能，共撑全球半导体产业的美好未来!
