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演讲嘉宾 |深圳市晨日科技股份有限公司甲酸锡膏项目总监海峰先生《车规功率器件与第三代半导体高可靠,经济高效封装材料的方案与应用》

2026-05-06 21:20:39

全球功率半导体市场迎来复苏与增长叠加期，富士经济预测2026年开启扩张周期，2035年市场规模达7.771 万亿日元，中国2030年功率半导体模块市场将超1200亿元。新能源汽车、光伏风电需求爆发，2026年也是下一代半导体商业化元年，为封装技术带来机遇。宽禁带半导体推动封装技术转型，SiC 在新能源汽车主驱逆变器渗透率2035年将超50%，封装面临热管理、互连技术、集成架构三重挑战，2026年双面散热等新型架构将从小批量应用。中国功率半导体封装加速国产化，虽高端材料依赖进口，但2026年银烧结材料国产替代率将破25%，封装材料整体国产替代率有望从38%迈向50%，政策也提供有力支撑。当前产业链存在技术与协同瓶颈，佰事前沿将于2026年3月17日在上海举办“SPT2026功率半导体与先进封装技术论坛”, 汇聚各方力量，聚焦关键议题，助力破解行业难题、构建自主产业生态。

SPT2026功率半导体与先进封装技术论坛蓄势待发！本届大会特邀多位行业专家齐聚一堂，共话功率半导体与先进封装技术新未来。今天我们非常荣幸向大家介绍一位重量级演讲嘉宾——深圳市晨日科技股份有限公司甲酸锡膏项目总监海峰，他本次演讲聚焦半导体封装核心材料革新，重点推介甲酸锡膏与纳米烧结铜浆两大高端封装材料，深度解读其在车规硅基功率器件、第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）芯片封装中的专属应用方案，破解高端功率器件封装的性能与可靠性难题。

演讲内容

演讲主题：《车规功率器件与第三代半导体高可靠，经济高效封装材料的方案与应用》

议题大纲抢先看：

本次演讲聚焦半导体封装核心材料革新，重点推介甲酸锡膏与纳米烧结铜浆两大高端封装材料，深度解读其在车规硅基功率器件、第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）芯片封装中的专属应用方案，破解高端功率器件封装的性能与可靠性难题。

随着新能源汽车与第三代半导体产业快速发展，车规硅基IGBT、MOSFET功率器件，以及SiC、GaN芯片，对封装材料的高温稳定性、高导热性、环保性提出严苛要求，传统焊料已难以适配。甲酸锡膏作为环保型焊接材料，采用甲酸活化体系，焊接无卤素、无残留，焊点洁净度高、空洞率极低，热阻与焊接强度表现优异，完美适配车规硅功率器件的车载严苛工况，保障器件长期稳定运行，满足汽车电子高可靠性标准。

纳米烧结铜浆则专为第三代半导体高温高功率特性研发，依托低温低压烧结工艺，形成高致密铜互连层，导热导电性能远超传统锡基焊料，耐高温性与功率循环寿命大幅提升，且能匹配SiC、GaN芯片热膨胀系数，降低热应力失效风险，是碳化硅、氮化镓功率模块封装的理想材料，助力高端芯片突破性能瓶颈。

本次分享将结合实际应用案例，展现两大材料在车规及第三代半导体封装领域的落地价值，提供高效、绿色、高性价比的材料解决方案，推动半导体封装材料自主升级，赋能新能源汽车、电力电子等产业高质量发展。

嘉宾简介

晨日科技甲酸锡膏项目总监，深耕芯片封装焊接材料领域多年，专注甲酸锡膏、纳米烧结铜浆等产品的研发与市场化落地。2025年主导多款核心材料的客户验证与量产导入，凭借高可靠性、降本增效与环保特性，助力行业头部客户完成工艺升级，形成多项可复用的行业案例。2026年将聚焦低温互连与高可靠烧结材料的迭代，推动前沿技术在功率半导体、先进封装场景的规模化应用。