为支持研究生在功率半导体与集成电路领域开展创新实践，深圳平湖实验室面向“华为杯”第九届中国研究生创“芯”大赛推出专项支持方案，开放100V GaN平台PDK（含完整器件模型），支持自主命题赛道团队参赛，并投入总价值300万元流片资源，用于奖励本届大赛获奖团队。
开放100V GaN平台PDK
支持自主命题参赛团队
深圳平湖实验室GaN器件与集成技术平台本次提供包含完整器件模型的100V GaN平台PDK，可供参赛团队通过自主命题赛道参赛，围绕GaN器件与集成电路方向开展创新设计。
GaN功率器件设计
电源管理芯片设计
模拟/混合信号IC设计
功率集成电路设计
器件与系统协同创新设计
为进一步支持青年人才培养与创新成果落地，深圳平湖实验室将投入总价值300万元流片资源，用于奖励本届中国研究生创“芯”大赛获奖团队。
具体支持方案如下：
优秀作品不仅能够获得赛事荣誉，更有机会获得真实产业平台支持，加速从设计方案走向工程验证。
深圳平湖实验室已构建覆盖多电压等级的GaN MPW共享服务体系，本次重点开放100V GaN MPW共享服务平台。
MPW（多项目晶圆）模式可支持多个设计团队共享同一晶圆资源，具备以下优势：
降低流片成本
缩短验证周期
提升设计迭代效率
加快科研成果落地
平台适用于高校科研验证、创新项目孵化及产业前期开发。
本次开放的100V GaN PDK可为功率IC设计提供完整工具链支持，满足从电路设计、版图实现到物理验证的全流程开发需求。主要包括：
集成100V、15V增强型HEMT器件及MIM电容、2DEG电阻、金属电阻等无源元件；
包含器件模型、工艺文件及DRC/LVS物理验证规则；
兼容主流EDA工具，支持从电路设计到物理验证全流程。
图2 HEMT器件的I-V和C-V特性（实线：仿真；散点:实验数据)
实验室依托8英寸Si基GaN中试平台，采用p-GaN增强型工艺路线，已自主研发出高性能100V GaN E-HEMT器件及封装样品，关键性能达行业先进水平，为PDK与MPW服务提供坚实工艺验证。
表2 100V GaN E-HEMT封装工程样品器件基础电性
有意向团队可通过中国研究生创“芯”大赛官网报名参赛，选择自主命题赛道开展作品申报。
参赛流程建议如下：
完成设计：基于PDK完成电路/器件设计，按大赛要求提交PPT（含语音讲解）及技术附件；
提交作品：在7月7日前提交作品，参与赛事其他流程；
获奖兑现：获奖团队凭证书对接实验室，领取对应流片支持。
完整参赛规则、作品模板、成果清单等详见大赛参赛说明。
中国研究生创“芯”大赛始终致力于推动高校人才培养与产业需求深度衔接。此次深圳平湖实验室开放平台资源并设置专项奖励，是赛事持续汇聚优质产业资源、服务青年人才成长的重要举措。欢迎广大师生积极关注并参与，在创芯舞台上展示创新实力，在前沿赛道中实现突破成长。
